Wafer Muster


Das Geometrieverifizierungssystem der NGR basiert auf dem Algorithmus “Die zu Datenbank” und trägt mit dem breiten FOV-Elektronenmikroskop zur Hochempfindlichkeits-Defektprüfung bei Musterfehlern und zur 2-dimensionalen Massen-CD-Messung bei. Die Miniaturisierung von Halbleiterbauelementen trägt zum Gewinn der Halbleiterhersteller bei, verursacht jedoch Gewinnverluste aufgrund der Abnahme der Ausbeute, die durch Defekte wie Muster kurz, Muster während des Produktionsprozesses offen ist. Im Halbleitergeschäft ist es wichtig, diese Musterfehler und Musterabmessungen während des Prozesses zu untersuchen und zu messen, den Herstellungsprozess und den Ertrag zu verbessern. WAFER PATTERN BUTTERFLY VALVE TYPE Z 011-A TECHNICAL DATA Nenndurchmesser: EN 558 Serie 20 ISO 5752 Serie 20 API 609 Tabelle 1 Flansch Unterkunft: EN 1092 PN 6/10/16 ASME Class 150 AS 4087 PN 16 Flansch Oberflächenausführung: Dichtheitsprüfung: EN 12266 (Leckagerate A) ISO 5208, Kategorie 3 Temperaturbereich: -40°C bis +200°C (je nach Druck, Medium und Material) Betriebsdruck: Ein universell einsetzbares Waferventil nach EN 593. Die große Vielfalt an Grundmaterialien ermöglicht Anwendungen in verschiedenen Branchen. FEATURES – Absolut dichte Abdichtung mit Durchfluss in beide Richtungen – Ventilkörper und Scheibe sind präzise bearbeitet, was zu geringem Betriebsmoment und langer Lebensdauer und Zuverlässigkeit führt – Dreiwellenlager verhindern Wellenumlenkung und garantieren optimale Führung auch nach vielen Jahren Betriebsbetrieb – Vier Flansch-Montagelöcher sorgen für korrekte Ventilposition beim Einschalten Montage – Einzelflanschmontage möglich: DN 20 – 250: 3 bar DN 300 – 600: 2 bar Nicht möglich mit Aluminiumgehäuse – Einbau in beliebiger Position – Wartungsfrei – Zerbaubar, materialspezifisches Recycling möglich – Für Farben und Lacke, eine siliziumfreie Version ist verfügbar ALLGEMEINE ANWENDUNGEN: – Chemische und petrochemische Industrie – Wasser- und Abwassertechnik – Pneumatische Fördertechnik – Schiffbau Aluminium Version. Verfügbare Größen: DN 50 – DN 400 – Energieerzeugungsindustrie – Transport gefährlicher Materialien (EN 14432) Halbleitergeräte werden durch wiederholte Prozesse der Dünnschichtabscheidung, Schaltungsmusterlithographie, Ätzung und Verunreinigung von Atomimplantationen auf Siliziumwafern hergestellt.